適用于 1ns 脈寬應(yīng)用 5V 低側(cè) GaN 和 MOSFET 驅(qū)動器

NCD1020B

適用于 1ns 脈寬應(yīng)用 5V 低側(cè) GaN 和 MOSFET 驅(qū)動器

NCD1020B是一款單通道低側(cè)驅(qū)動器，專為在高速應(yīng)用（包括LiDAR、飛行時間、面部識別和任何涉及

低側(cè)驅(qū)動器的功率轉(zhuǎn)換器）中驅(qū)動GaN FET和邏輯電平MOSFET而設(shè)計。產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)3ns的極快傳播延遲和

1ns的最小脈沖寬度。通過分別在柵極與OUTH和OUTL之間連接外部電阻器，可針對上拉和下拉沿來獨(dú)立調(diào)

節(jié)驅(qū)動強(qiáng)度。產(chǎn)品提供過載或故障情況下的欠壓鎖定(UVLO)和過熱保護(hù)(OTP)。產(chǎn)品采用晶圓級BGA封裝，

可最大限度地降低柵極回路電感并最大限度地提高高頻功率密度要求。

性能特點(diǎn) ：

用于 GaN 和 Si MOSFET 低側(cè)柵極驅(qū)動器

1ns 最小輸入脈沖寬度

傳播延遲：典型值 3ns，最大值 4.5ns

典型工作電壓：5V

欠壓鎖存和過熱保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域 ：

LiDAR

飛行時間激光驅(qū)動器

電源轉(zhuǎn)換器

基于 GaN 的同步整流器

OUTH 和 OUTL 上至少使用一個電阻（約 2Ω，可根據(jù)具體應(yīng)用調(diào)整），來避免感應(yīng)振鈴引起的電壓過沖。在器件 VDD

與 GND 之間連接一個靠近器件的去耦電容，建議使用 0.47uF 三端低通濾波電容，實(shí)現(xiàn)最低的 ESL，另一個電容可以靠近三 端低通濾波電容，推薦使用 0.1uF 0402 封裝電容和 1uF 0603 封裝電容。

圖 4 NCD1020B 典型應(yīng)用示意圖

注意事項(xiàng)

1) 本產(chǎn)品為靜電敏感器件，使用儲藏時應(yīng)注意防靜電，否則極易引起器件損壞；

2) 接入電路時請注意管腳標(biāo)識，避免接錯管腳，尤其要避免輸入輸出直接對地短路；

3) 脈沖頻率非常高時，脈沖之間需要停頓以避免器件過熱，需要更高的去耦電容為負(fù)載提供高頻充電。