深圳鐳爾特光電科技有限公司

當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有五個(gè)確定的增長(zhǎng)引擎，它們分別是：①移動(dòng)終端，如智能手機(jī)、智能手表、可穿戴設(shè)備、筆記本電腦和平板電腦；②高性能計(jì)算（HPC），也被稱為超級(jí)計(jì)算，它能夠在超級(jí)計(jì)算機(jī)上高速處理數(shù)據(jù)和進(jìn)行復(fù)雜的計(jì)算；③自動(dòng)駕駛汽車；④物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things，IoT），如智慧工廠和智慧醫(yī)療；⑤用于云計(jì)算的大數(shù)據(jù)和用于邊緣計(jì)算的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理。可以說除了最基本的設(shè)備以外，其他所有用到...

晶圓盒為什么只裝25片晶圓？一盒晶圓為啥是25片？廠家表示：從工藝參數(shù)進(jìn)行大量實(shí)驗(yàn)研究表明，當(dāng)FOUP是25片時(shí)工作效率最高，所以半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SEMI E1.9-用于運(yùn)輸和存儲(chǔ)300毫米晶圓的盒的機(jī)械規(guī)范也這么規(guī)定?，F(xiàn)在一些12英寸FAB一個(gè)foup里只放24片產(chǎn)品片（比如三星）。24片一批的主要原因是asml光刻機(jī)的stage是兩個(gè)，為了overlay更優(yōu)，強(qiáng)制單數(shù)片在stage1上曝光...

在20世紀(jì)60年代后期，濕法刻蝕曾經(jīng)是低成本集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)。半導(dǎo)體工藝制程及芯片性能的不斷迭代不斷提升，隨著制程進(jìn)入六次微米級(jí)，基于化學(xué)反應(yīng)的濕法刻蝕，已經(jīng)跟不上芯片的精度要求了，邏輯電路自然不用說，關(guān)鍵層需要納米級(jí)的精密刻蝕，即便像DRAM之類相對(duì)粗糙的存儲(chǔ)芯片，要刻出里面又窄又深的電容溝槽，也需要方向感極強(qiáng)的雕刻方法，這就是干法刻蝕。濕法用的是液體，干法用的是氣體。濕法刻蝕由于精...

氣密封裝是半導(dǎo)體芯片封裝的關(guān)鍵工藝。此處的"氣密"指完全防泄漏的密封。半導(dǎo)體芯片經(jīng)歷晶圓切割成獨(dú)立芯片，最終裝入分立式封裝的多道工序。這些芯片通過貼裝環(huán)氧樹脂或共晶焊料牢固固定在焊盤上，再通過極細(xì)導(dǎo)線與陶瓷封裝焊盤實(shí)現(xiàn)電氣連接。陶瓷封裝——實(shí)質(zhì)是"芯片載體"——通常為多層結(jié)構(gòu)，陶瓷體內(nèi)含電氣穿通孔。這些層內(nèi)連接至封裝底部或側(cè)邊，以便與其他電氣元件共同安裝到印刷電路板上?？捎玫男酒庋b類型包括...

本文介紹了在芯片封裝領(lǐng)域檢測(cè)芯片可靠性的常見六項(xiàng)測(cè)試?？煽啃裕鳛楹饬啃酒庋b組件在特定使用環(huán)境下及一定時(shí)間內(nèi)損壞概率的指標(biāo)，直接反映了組件的質(zhì)量狀況。1、可靠性測(cè)試概述可靠性測(cè)試的意義可靠性測(cè)試旨在評(píng)估產(chǎn)品在特定狀態(tài)下的壽命影響，確認(rèn)產(chǎn)品質(zhì)量是否穩(wěn)定，并據(jù)此進(jìn)行必要的修正。與功能測(cè)試不同，可靠性測(cè)試更注重預(yù)測(cè)產(chǎn)品在長(zhǎng)期使用中的表現(xiàn)，從而幫助客戶以最快、最經(jīng)濟(jì)的方式評(píng)估芯片的狀況?？煽啃詼y(cè)試...

產(chǎn)品圖片:外形尺寸5mmx6mm x2mm性能特點(diǎn)：集成905nmLD(典型峰值功率40W)內(nèi)部集成高速驅(qū)動(dòng)及 GaN HEMT最小輸入信號(hào)脈沖寬度可達(dá) 0.9ns發(fā)光重頻可實(shí)現(xiàn) 2MHzSMD封裝(Pi)，5mmX6mmX2mm應(yīng)用領(lǐng)域：激光雷達(dá)激光測(cè)距儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：NCD3091M 型激光驅(qū)動(dòng)電路微模塊是一款集成高速驅(qū)動(dòng)、GaN HEMT及激光二極管的驅(qū)動(dòng)模塊，支持 0.9ns的最小輸入信...

產(chǎn)品圖片：外形尺寸 5mm×6mm×2.6mm性能特點(diǎn)：? 集成 905nm LD（典型峰值功率 40W）? 內(nèi)部集成高速驅(qū)動(dòng)及 GaN HEMT? 最小輸入信號(hào)脈沖寬度可達(dá) 0.9ns? 發(fā)光重頻可實(shí)現(xiàn) 2MHz? SMD 封裝（8Pin），5mm×6mm×2.6mm產(chǎn)品簡(jiǎn)介：NCD3081M 型激光驅(qū)動(dòng)電路微模塊是一款集成高速驅(qū)動(dòng)、GaN HEMT 及激光二極管的驅(qū)動(dòng)模塊，支持 0.9n...

一、甲烷傳感器類型及原理1. 催化燃燒型傳感器 原理：甲烷在鉑絲催化珠表面發(fā)生無焰燃燒，產(chǎn)生的熱量改變鉑絲電阻值，通過電橋失衡輸出電信號(hào)13。 技術(shù)驗(yàn)證：需定期用標(biāo)準(zhǔn)氣樣（如1.5% CH? ）校準(zhǔn)，防止催化劑中毒失效，適用于低濃度（0-100% LEL）場(chǎng)景。  2. 紅外吸收型傳感器（NDIR） 原理：甲烷分子選擇性吸收3.3μm 波長(zhǎng)紅外光，光強(qiáng)衰減程度與濃度成正比，無需氧氣參與。 創(chuàng)...

在汽車電子控制系統(tǒng)（如圖所示）的快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求下，汽車傳感器技術(shù)不斷發(fā)展。未來汽車傳感器的發(fā)展總體趨勢(shì)是智能化、微型化、集成化、多功能化以及新材料和新工藝制成的新型傳感器。MEMS技術(shù)傳感器成為汽車傳感器的主要部件。車用傳感器分類根據(jù)組成系統(tǒng)和功能的不同，車用傳感器可分為：動(dòng)力控制系統(tǒng)MEMS、車身電子系統(tǒng)MEMS、安全電子系統(tǒng)MEMS、ADAS高級(jí)輔助系統(tǒng)MEMS等。動(dòng)力控制系統(tǒng)MEM...

深圳鐳爾特光電推出“高精度905nm激光器陣列封裝代工服務(wù)”——10μm微米級(jí)封裝賦能全球客戶，定制化方案破解激光雷達(dá)量產(chǎn)難題2024年9月，中國深圳——全球高端光電封裝領(lǐng)軍企業(yè)深圳鐳爾特光電科技有限公司宣布，正式面向全球開放**“高精度905nm激光器陣列封裝代工服務(wù)”**。該服務(wù)依托鐳爾特獨(dú)有的 微米級(jí)固晶技術(shù) 與 全自動(dòng)化封裝產(chǎn)線，可為激光雷達(dá)、工業(yè)傳感及機(jī)器人企業(yè)提供從芯片設(shè)計(jì)支持到...

近年來，隨著中美貿(mào)易矛盾以及機(jī)器人、AI、智駕汽車等事件及概念的不斷演變，傳感器的重要性愈顯突出，并被政策及金融市場(chǎng)認(rèn)可。傳感器產(chǎn)業(yè)投融資市場(chǎng)的火熱，也帶動(dòng)了多家傳感器企業(yè)的上市，目前在眾多傳感器上市企業(yè)中，歌爾股份（歌爾微電子）、瑞聲科技、敏芯微、納芯微、芯動(dòng)聯(lián)科、高華科技等等都是MEMS傳感器企業(yè)，MEMS智能傳感器也是國家政策扶持、資金流入的首要傳感器領(lǐng)域，MEMS智能傳感器在機(jī)器人、...

傳感器技術(shù)作為信息獲取的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，正經(jīng)歷著前所未有的變革。其中，MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）傳感器作為新興技術(shù)的代表，正逐漸替代傳統(tǒng)傳感器，成為推動(dòng)科技進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)的重要力量。本文將深入探討MEMS傳感器替代傳統(tǒng)傳感器的原因，揭示這一趨勢(shì)背后的科技邏輯和市場(chǎng)動(dòng)力。傳統(tǒng)傳感器的局限與挑戰(zhàn)傳統(tǒng)傳感器，如溫度傳感器、壓力傳感器和光傳感器等，主要基于物理和化學(xué)原理，通過物理或化學(xué)變化來實(shí)現(xiàn)感知并將感知信...

NCD1020B適用于 1ns 脈寬應(yīng)用 5V 低側(cè) GaN 和 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器NCD1020B是一款單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，專為在高速應(yīng)用（包括LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別和任何涉及低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的功率轉(zhuǎn)換器）中驅(qū)動(dòng)GaN FET和邏輯電平MOSFET而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)3ns的極快傳播延遲和1ns的最小脈沖寬度。通過分別在柵極與OUTH和OUTL之間連接外部電阻器，可針對(duì)上拉和下拉沿來獨(dú)立調(diào)...

針對(duì)車載激光雷達(dá)高頻率、高精度的探測(cè)需求，提出了一種高速窄脈沖柵極驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)激光雷達(dá)發(fā)射系統(tǒng)中的 GaN HEMT 開關(guān)管?；?.18 um CMOS 工藝進(jìn)行驅(qū)動(dòng)器的電路與版圖設(shè)計(jì)，采用新型施密特觸發(fā)器結(jié)構(gòu)，并集成欠壓鎖存和過溫保護(hù)功能。該驅(qū)動(dòng)器選用晶圓級(jí)芯片封裝(WLCSP)技術(shù)，最大程度上降低柵極路徑上的寄生電感。對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果表明:驅(qū)動(dòng)器最小輸出脈沖寬度為1.06ns，其...

2025年1月6日，河北鐳族光電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鐳族光電”）與河北地質(zhì)大學(xué)光電技術(shù)研究所（以下簡(jiǎn)稱“光電研究所”）宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方共同成立產(chǎn)學(xué)研合作基地。參加本次儀式的人員主要有光電研究所鄭一博教授、趙戰(zhàn)民副教授及其帶領(lǐng)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，鐳族光電總經(jīng)理王立紅及其帶領(lǐng)的管理團(tuán)隊(duì)。該基地將致力于推動(dòng)光電技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)與學(xué)術(shù)的深度融合，特別是大功率光纖激光器的科研成果轉(zhuǎn)化。...

Yole Group 表示，從 2023 年到 2029 年，半導(dǎo)體激光器市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到  9%，從 31 億美元增長(zhǎng)到超過 50 億美元。推動(dòng)增長(zhǎng)的因素包括激光器應(yīng)用的擴(kuò)展、向能源效率、緊湊尺寸和精度的轉(zhuǎn)變，以及與多種技術(shù)平臺(tái)（包括 SOI(2)、SiN(3)、InP(4) 和 TFLN(5)）集成的增長(zhǎng)。半導(dǎo)體激光器 2023-29 年復(fù)合年增長(zhǎng)率為 9%2023-29 年市場(chǎng)...

不知道差友們有沒有注意到，今年許多車企都給自家不少車型裝上了激光雷達(dá)。長(zhǎng)安汽車更是 “ 豪橫 ” ，計(jì)劃一口氣直接吃下 150 萬個(gè)，比 23 年全國激光雷達(dá)上車總量的 3 倍還要多，搞得就跟批發(fā)大白菜一樣。。。江江查了查資料，發(fā)現(xiàn)其實(shí)從去年開始，激光雷達(dá)就已經(jīng)密集上車了。到了今年，月度上車量更是去年同期的 2-5 倍，好像激光雷達(dá)都快變成汽車的 “ 標(biāo)配 ” 了。就連 15 萬價(jià)位的零跑 ...